Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-236-3
Variant
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
8 Ω
Datablad (PDF)
4737 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
30
-
0,50 kr.
90
8% = 0,04 kr.
0,46 kr.
150
12% = 0,06 kr.
0,44 kr.
300
16% = 0,08 kr.
0,42 kr.
600
18% = 0,09 kr.
0,41 kr.
1200
20% = 0,10 kr.
0,40 kr.
3000
24% = 0,12 kr.
0,38 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 30
Total (0,50 kr. / stk.r)
15,00 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Lille Signal Transistor
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
BSS84P
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-236-3
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
P-kanal
- I(d)
170 mA
- U
60 V
- Ydelse (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
8 Ω
- R(DS)(on) reference-strøm
170 mA
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
2 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
20 µA
- Q(G)
1.5 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
19 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
SIPMOS®
- Drifttemperation (max.)
+150 °C
- Transistor-funktion
Logic level gate
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.