Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-236-3
Variant
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
2 Ω
Datablad (PDF)
22140 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
10
-
1,85 kr.
30
9% = 0,17 kr.
1,68 kr.
50
12% = 0,23 kr.
1,62 kr.
100
15% = 0,28 kr.
1,57 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 10
Total (1,85 kr. / stk.r)
18,50 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Lille Signal Transistor
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
BSS83P
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-236-3
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
P-kanal
- I(d)
330 mA
- U
60 V
- Ydelse (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
2 Ω
- R(DS)(on) reference-strøm
330 mA
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
2 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
80 µA
- Q(G)
3.57 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
78 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
SIPMOS®
- Drifttemperation (max.)
+150 °C
- Transistor-funktion
Logic level gate
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.