Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-261-4
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
1.8 W
R(DS)(on)
1.8 Ω
Datablad (PDF)
189 stk. (Så længe lager haves)
Antal
Minimum ordrevolumen:: 3
Total (2,02 kr. / stk.r)
6,06 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Lille Signal Transistor
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
BSP149
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-261-4
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
660 mA
- U
200 V
- Ydelse (max) P(TOT)
1.8 W
- R(DS)(on)
1.8 Ω
- R(DS)(on) reference-strøm
660 mA
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
1 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
400 µA
- Q(G)
14 nC
- Q(G) reference-spænding
5 V
- C(ISS)
430 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
SIPMOS®
- Drifttemperation (max.)
+150 °C
- Transistor-funktion
Deleption mode
- U(DSS)
200 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.