
Lignende billede
Lignende billede
4N35-000E
Optokobler fototransistor
DIP-6
Broadcom
BCL
1.2 V
60 mA
6 V
1
DC
Transistor med basis
3550 V RMS
+100 °C
-55 °C
Gennemgangshul
1.5 V
3 µs
3 µs
100 mA
350 mW
30 V
100 %
10 mA
300 mV
100 mA
1 stk
Datablad 140257 Broadcom Optokobler fototransistor 4N35-000E DIP-6 Transistor med basis DC
Instruktioner for brug og sikkerhed 140257 Broadcom Optokobler fototransistor 4N35-000E DIP-6 Transistor med basis DC